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机构地区： 吉林师范大学信息技术学院

出　　处： 《液晶与显示》 2008年第1期5-10,共6页

摘　　要： 采用CBP主体材料中掺杂rubrene，制备了结构为ITO／2T-NATA（25nm）／NPBX（20nm）／CBP：1％rubrene（10nm）／NPBX（5nm）／DPVBi（30nm）／TPBi（20nm）／Alq（10nm）／LiF（1nm）／Al的白光器件，此结构将器件的发光区控制在了DPVBi层和rubrene掺杂层。利用rubrene染料本身的载流子俘获空穴特性与CBP母体转移来的能量发射荧光特性，以及插入的5nm NPBX的电子阻挡特性获得了高亮度的白光器件。此器件在驱动电压为16V时最大亮度达到25110cd／m^2，对应的色坐标为（0．30，0．34），在驱动电压为10V时最大电流效率为5．32cd／A，外量子效率为1．65％。而且，驱动电压在10～16V时，即达到最大亮度和最大效率时，其色坐标都在白光等能点（0．33，0．33）附近。 High-luminance white organic light-emitting devices （WOLEDs） was fabricated based on CBP doped with 5,6,11,12,-tetraphenylnaphthacene（rubrene）. The devices structure is ITO/2T-NATA （25 nm）/NPBX（20 nm）/CBP： 1%rubrene（10 nm）/NPBX（5 nm）/DPVBi（30 nm）/TPBi（20 nm）/Alq （10 nm）/ LiF（1 nm）/Al. In the devices, emission region is controlled in blue light-emitting layer of DPVBi and yellow light-emitting layer of CBP： rubrene. High-luminance is attributed to efficient trapping of holes and gaining energy from CBP by rubrene,and NPBX of an effect electron blocking layer. The device has an maximum luminance of 25 110 cd/m^2 at applied voltage of 16 V, the CIE （Commission International de I＇Eclairage） coordinates （0. 33, 0. 39）, the maximum luminous efficiency of 5.32 cd/A at applied voltage of 10 V and the external quantum efficiency of 1.65 %. The CIE coordinates of the doping WOLEDs is well within the white region of the drive voltage in the range from 10 V to 16 V.

关 键 词： 白色有机电致发光器件 掺杂 亮度

领　　域： [电子电信]