作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 沈阳航空工业学院

出　　处： 《真空科学与技术学报》 2008年第1期55-58,共4页

摘　　要： 应用直流反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,利用n&k仪对薄膜的反射率进行检测,结果表明TiO2薄膜可以作为太阳电池减反射薄膜应用,并且通过改变工艺条件可以调控薄膜的反射低谷。当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15 sccm、靶基距为190 mm、温度为60℃的条件下制备的TiO2薄膜的减反射效果最好。 The reflectance of the TiO2 films, grown by D C reactive magnetron sputtering on silicon substrates, was studied. The results show that TiO2 films can be good anti-reflectance materials in solar cells and that judicious choice of the film growth conditions may improve its anti-reflectance. The optimized growth conditions are as follows：total gas pressure 2 ×10^-1 Pa,oxygen flow rate, 15 sccm,substrate temperature,60℃ and substrate-target separation, 190 mm.

关 键 词： 直流反应磁控溅射 二氧化钛薄膜 太阳电池 反射率

领　　域： [理学] [理学]