可检索词： （英文）题名=T 作者=A 关键词=K 摘要=R 机构=O 主题=S 刊名=M 分类号=N
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机构地区： 华南理工大学理学院应用物理系
出 处： 《半导体技术》 1997年第4期43-45,共3页
摘 要： 用聚酰亚胺（ＰＩ）垫高ＰＶＤＦ－ＭＯＳＦＥＴ超声传感器的扩展栅电极，当ＰＩ厚度大于５μｍ时，扩展栅电容减少到原来的１／６以下，传感器的灵敏度可提高１１．３ｄＢ。讨论了ＰＩ工艺膜的制备和亚胺化温度对ＰＩ膜厚和介电系数的影响。
关 键 词： 聚酰亚胺 压电传感器 灵敏度 超声换能器
领 域： [理学] [理学] [一般工业技术] [化学工程]
