作　　者： ; ;

机构地区： 厦门大学物理与机电工程学院物理学系

出　　处： 《厦门大学学报（自然科学版）》 1997年第2期216-220,共5页

摘　　要： 采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应． The pico second ultrafast spectroscopic technology is used to study the tenary GaAs 1-x P x∶ N alloys. The results confirm the band structure enhancement effect in GaAs 1-x P x∶ N alloys. The PL decay measurements of N X band show that the fast intraband tunneling and slow luminescent decay coexist in GaAs 1-x P x∶ N alloys.

关 键 词： 族 半导体 杂质 发光瞬态过程 混晶半导体

领　　域： [理学] [理学] [电子电信]