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电场方向对铝诱导非晶硅薄膜固相晶化影响浅析
An Analysis of Effects on Aluminum-induced Crystallization of A-si Films in Electric Fields with Different Directions

作  者: ;

机构地区: 韩山师范学院物理与电子工程系

出  处: 《韩山师范学院学报》 2007年第3期50-54,共5页

摘  要: 通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和喇曼谱仪检测铝诱导非晶硅薄膜的场致固相晶化的情况,分析了电场方向对铝诱导非晶硅薄膜固相晶化的影响. Test crystallization of amorphous silicon (a-Si) films in electric fields by scanning electronmicroscopy (SEM), x-ray diffraction (XRD) and Raman spectroscopy. An analysis of effects on aluminum-induced crystallization of a-Si films in electric fields with different directions is elucidated in this article.

关 键 词: 铝诱导 非晶硅薄膜 电场 固相晶化

领  域: [电子电信]

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