作　　者： ; ;

机构地区： 华南理工大学材料科学与工程学院高分子光电材料与元器件研究所

出　　处： 《物理学报》 2007年第5期2974-2978,共5页

摘　　要： 采用交流阻抗谱,电容-电压,电容-频率等实验方法,研究了共轭高分子MEH-PPV(poly[2-methoxy,5-(2-ethylhexoxy)-1,4-phenylene vinylene])发光二极管的载流子注入过程.对于结构为ITO/PEDOT/MEH-PPV/Ba/Al的发光器件,实验结果表明,电极界面是欧姆接触的,载流子的注入是非平衡的,器件薄膜中存在陷阱容易俘获注入电荷,形成空间电荷区,陷阱密度约为3.75×1016cm-3. The carrier injection process of polymer light- emitting diodes （PLEDs） with MEH- PPV （ poly [ 2- methoxy, 5 - （ 2- ethylhexoxy） - 1,4-phenylene vinylene] ） as the light-emitting layer, was investigated using impedance spectroscopy, capacitance-voltage （C-V） and capacitance-frequency （C-F） techniques. The diodes have the configuration of ITO/PEDOT/MEH-PPV/Ba/AI. The experiments showed that there is an ohmic contact between electrodes and MEH-PPV, and holes and electrons injected from the cathodes are unbalanced. Charged traps in the MEH-PPV result in space-charge under positive bias, and the trap concentration was estimated at about 3.75 × 10^16 cm^-3

关 键 词： 高分子发光二极管 交流阻抗谱 图 载流子注入

领　　域： [电子电信]