作　　者： ;

机构地区： 北京大学物理学院技术物理系

出　　处： 《中国科学（A辑）》 1996年第8期722-728,共7页

摘　　要： 利用脉冲激光淀积法生长了外延Pr(?)Sr(?)MnO_3薄膜(其中x=0.1,0.2,0.3,和0.4).测量了薄膜样品在零场中与外加磁场下电阻率随温度的变化.对X≥0.2的样品在磁场下观察到负磁电阻效应.在logρ-l/T的坐标中,零磁场下的数据在很宽的温区显现很好的线性关系,具有热激活载流于输运特征.由实验数据线性拟合得到在样品成分0.1≤ X≤0.3范围的热激活能约为0.1eV.从对掺杂锰氧化物的电子结构分析出发,对这一材料的绝缘-金属相变,输运性质和负磁电阻行为进行了讨论.

关 键 词： 掺杂 锰氧化物 负磁电阻效应 铁磁薄膜 输运性质

领　　域： [理学] [理学]