作　　者： ; ; ;

机构地区： 江苏科技大学机械与动力工程学院

出　　处： 《Journal of Semiconductors》 2007年第1期127-130,共4页

摘　　要： 将研究辐射换热问题的区域法引入壁面间的辐射换热计算,建立了MOCVD壁面温度的计算模型,应用该模型计算了径向三重流MOCVD反应器的壁面温度分布.结果表明,在反应器的不同部位,壁面温度分布的规律有所不同.当径向三重流MOCVD反应器处于自然对流的环境时,壁面的最大温差可达123K,如此大的温差将会对反应器内的气体流动和沉积过程产生影响;为了使反应器的温度保持在较为恒定的低温,外壁面的强制对流换热系数应大于84W/(m2·K). The ＂zone method＂ is introduced to simulate wall temperature distribution in an MOCVD reactor. This method is used to calculate the wall temperature distribution of a radial flow MOCVD reactor with three separate vertical inlets. Results show that the distribution rule for the wall temperature differs at different walls. When the radial flow MOCVD reactor with three separate vertical inlets is put in a natural convective heat transfer environment,the maximum difference in wall temperature is 123K. Such a temperature difference will have large effects on gas flow behavior and the deposition process. In order to keep the walls at low temperatures,the outer convective heat transfer coefficient must be larger than 84W/m^2 · K.

关 键 词： 数值模拟 区域法 壁面温度

领　　域： [电子电信]