作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 武汉大学物理科学与技术学院

出　　处： 《功能材料》 2006年第10期1557-1560,共4页

摘　　要： 利用溶胶凝胶工艺在Pt／TiO2／SiO2／Si衬底上制备了Co掺杂量为0～10%（摩尔分数）的（Ba0.6Sr0.4）Ti1-xCoxO3薄膜。研究了薄膜的结构、表面形貌、介电性能与Co掺杂量的关系。薄膜的介电损耗随着Co含量的增加而减少，在摩尔含量10%时达到最小值0．0128。FOM值在摩尔含量为2．59，6达到最大值20，它的介电常数、介电损耗和调谐量分别为639．42、0．0218、43．6%。 （Ba0.6Sr0.4） Ti1-xCoxO3 （BSTC） thin films doped Co from 0 to 10mol% were fabricated by sol-gel method on Pt/TiO2/SiO2/Si substrate. The struetie,surfaee morphology and dielectric properties of BSTC thin films were investigated as a function of Co dopant concentration. The dielectric loss of the films decreased with increasing Co content. The loss factor of the 10mol% Co doped （Ba0.6 Sr0.4）Ti1-xCoxO3 thin film showed the lowest value of 0. 0128. The figure of merit （FOM） reached a maximum value of 20 at a 2.5mol% Co doped BSTC thin films. The dielectric constant, loss factor, and tunability of the 2.5mol% Co-doped （Ba0.6Sr0.4） Ti1-xCoxO3 thin films were 639.42, 0. 0218, and 43.6%, respectively.

关 键 词： 薄膜 溶胶 凝胶 介电特性 调谐性 品质因子

领　　域： [一般工业技术]