作　　者： ; ; ;

机构地区： 北京邮电大学电子工程学院光通信与光波技术教育部重点实验室

出　　处： 《Journal of Semiconductors》 2006年第7期1305-1309,共5页

摘　　要： 提出了一种新型的谐振腔增强型(RCE)光调制器结构,该器件采用双腔混合式结构.理论分析表明这种新型谐振腔增强型光调制器在保留了谐振增强作用的同时,还结合了非对称结构和对称结构谐振腔增强型光调制器的性能优势,因而更易同时获得高消光比和低插入损耗.该新型器件在一定的调制电压下还可获得较大的反射率差. A novel type of resonant cavity enhanced （RCE） modulator,which is composed of a symmetric RCE modulator and an asymmetric F-P cavity,is proposed. The analysis shows that this RCE modulator combines the advantages of symmetric and asymmetric RCE modulators and thus can easily achieve a high extinction ratio and low insertion loss simultaneously. This modulator has a larger variable reflection region under a certain modulation voltage.

关 键 词： 谐振腔增强型光调制器 消光比 插入损耗

领　　域： [电子电信]