作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 五邑大学应用物理与材料学院薄膜与纳米材料研究所

出　　处： 《材料导报》 2006年第7期123-125,共3页

摘　　要： 采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧光光谱的研究,发现Si衬底的离子束表面氮化对ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质有重要影响。在衬底温度为200℃、高纯氩氧比例为3∶1、压强为1.5Pa的条件下,在经离子束表面氮化预处理的Si衬底上溅射沉积的ZnO薄膜,经450℃真空退火,成为高(0002)晶面取向的ZnO薄膜,并具有良好的光学性质。 ZnO films are deposited on substrates of silicon slices by radio frequency magnetron sputtering technique. The important effect of substrate nitration treating by ion beam on crystal structure, morphology and optical properties of ZnO films is investigated with X-ray diffraction, atomic force microscope, absorption and photoluminescence spectrum. The films which are deposited on the silicon substrate bombarded with nitrogen ion beam under the substrate temperature of 200℃, the chamber pressure of 1. SPa and the mass flowingrate ratio of Ar to 02 of 3 ： 1, and then annealed at the temperature of 450℃, exhibit high （0002） orientation and quite good optical properties.

关 键 词： 射频磁控溅射 薄膜 离子束轰击 衬底表面氮化

领　　域： [理学] [理学] [电子电信]