作　　者： ; ; ; ;

机构地区： 中山大学物理科学与工程技术学院物理系

出　　处： 《半导体技术》 1996年第2期44-47,共4页

摘　　要： 采用电子束放电控制的ＣＯ２脉冲激光辐照单晶硅片掺入杂质锑、铝获得成功，并制成大面积ＰＮ结（Φ２０ｍｍ），发现了一种适合大功率ＣＯ２脉冲激光器应用于半导体掺杂新方法。通过卢瑟福背散射、阳极氧化等方法的研究，证明ＣＯ２脉冲激光辐照在硅中掺杂形成的ＰＮ结是浅突变结，结深约为０．２～０．７μｍ。对硅片预热温度、激光重复脉冲次数等工艺条件进行了研究，并从理论上进行了掺杂机理的分析。

关 键 词： 脉冲激光辐照 结 激光诱导 掺杂 二氧化碳 锑

领　　域： [电子电信]