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四氯苯醌/三苯磷可控掺杂四取代酞菁铜薄膜材料的导电性能研究
Conductivity Study on Controlled Doping of Tetra-Substituted Copper Phthalocyanine Thin Film with Tetrachloroquinone or Triphenyl Phosphone Acceptor

作  者: ; ; ; ;

机构地区: 同济大学材料科学与工程学院功能高分子材料研究所

出  处: 《材料科学与工程学报》 2005年第5期509-512,共4页

摘  要: 本文通过电化学沉积方法制备了一种四氯苯醌/三苯磷可控掺杂四取代酞菁铜薄膜材料体系,研究了该可控掺杂有机薄膜材料的导电性能。研究结果表明,四取代酞菁铜可控掺杂薄膜材料的电导率,随着温度的升高或掺杂剂浓度的增加而显著增加,其原因是酞菁铜给体与四氯苯醌和三苯基磷等小分子电子受体之间发生了较强的氧化还原作用。 One tetra-substituted copper pathalocyanine thin films were! doped with strong acceptor molecular like tetrachlomquinone (TCQ) or triphenyl phosphone (TPP) via electrochemical deposition method. The doping copper pathalocyanine films are studied by temperature dependent conductivity measurements. It is shown that the conductivity of tetra-substituted copper pathalocyanine films is evidently increased with increasing temperature or dopant concentration. The reason may he there are distinct oxidation-reduction effects between copper pathalocyanine and TCQ or TPP molecular.

关 键 词: 四取代酞菁铜 电化学沉积法 可控掺杂 导电性能

领  域: [电子电信]

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