可检索词： （英文）题名=T 作者=A 关键词=K 摘要=R 机构=O 主题=S 刊名=M 分类号=N
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机构地区： 浙江大学
出 处： 《真空科学与技术》 1995年第5期339-342,共4页
摘 要： 研究X射线及超高真空退火对发光多孔硅膜（PSL）发光特性的影响。通过光电子谱原位检测分析，发现X射线辐照及其空退火均可使发光多孔硅膜失去发光能力，同时伴随着Si2p光电子峰高结合能部分有较大的下降。根据实验结果认为：发光多孔硅中的发光物质为含氟缺氧的二氧化硅。
关 键 词： 发光 多孔硅 二氧化硅 超高真空退火 射线辐照
领 域： [电子电信]
