作　　者： ; ;

机构地区： 中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室

出　　处： 《光谱学与光谱分析》 1995年第3期11-16,共6页

摘　　要： 本文结合作者近年来的工作，评述了用超快速激光光谱学技术对晶态半导体低维材料研究的进展，分别讨论了用超快光谱研究晶态半导体低维材料中载流子各种非平衡过程的优势和原理，提出了需要进一步探讨的方面。 Including the authors'recent work,we present a review of the development in researches of crystalline semiconductor low-dimension materials by ultrafast laser spectroscopy,discuss the principles and advantages of ultrafast laser spectroscopy researches on a series of important carrier nonequilibrium processes in crystalline semiconductor low-dimension materials and put forward questions that need further study.

关 键 词： 半导体低维材料 激光光谱学 载流子

领　　域： [电子电信] [机械工程] [理学] [理学]