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氢化非晶碳薄膜瞬态复合发光特性
TRANSIENT RECOMBINATION PROPERTIES OF a-C: H FILM

作  者: ; ;

机构地区: 中山大学物理科学与工程技术学院激光与光谱学研究所

出  处: 《发光学报》 1994年第4期317-321,共5页

摘  要: 本文介绍了对辉光放电法制备的氢化非晶碳薄膜的时间分辨瞬态光致复合发光衰减的研究,分析了它对沉积温度、发射能量和激发能量的依赖关系,结果表明非晶碳薄膜复合发光行为符合定域激子复合机制,氢含量改变所导致的材料缺陷密度和无序度变化影响了样品复合发光行为. n investigation of the transient recombination decay in glowdischargingly deposited hydrogenated amorphous carbon is presented, the dependences on substrat temperature, emission energy and excitation energy have been investigated. Our measurements demonstrate that the recombination of a-C: H film conforms to the localized exciton recombination model. Due to the change of hydrogen content in the sample, the changes of defect density and degree of disorder effect the exciton recombination properties.

关 键 词: 非晶碳薄膜 时间分辨光谱 光致发光 氢化

领  域: [理学] [理学]

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