作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 南京大学物理学院物理学系

出　　处： 《Journal of Semiconductors》 1994年第7期501-504,共4页

摘　　要： 采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６×１０１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１×１０１３ｃｍ－２）． Abstract St/Si0.7Ge0.3/Si p-type Modulation Doped Double Heterostructures have been grown by RRH/VLP-CVD (Rapid Radiant Heating/Very Low Pressure-CVD). The transport property is investigated. Hole Hall mobilities as high as 300cm2/V·s (300K) and 8400cm2/V·s(77K) have been obtained. These are the highest values reported so far.

关 键 词： 掺杂 异质结 迁移率 硅

领　　域： [电子电信]