作　　者： ; ;

机构地区： 浙江大学

出　　处： 《浙江大学学报（自然科学版）》 1993年第4期517-520,共4页

摘　　要： 采用X射线光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS)着重研究了GaAs(100)表面由于Ar^+离子轰击而导致的功函数变化及Ga3d,As3d能级变化。从中仔细分析由于Ar^+离子轰击n—GaAs(100)表面的能带弯曲,结果表明,不同能量Ar^+离子轰击后,Ga3d及As3d的位移峰结合能变化可达0.3eV,同时功函数也变化相同的值。而且在不同温度下尽管采用同一能量Ar^+离子轰击。GaAs(100)表面功函数也有明显的差别。但是,在低温下(—120℃左右),采用不同能量的Ar^+离子轰击GaAs(100)表面,GaAs(100)表面仍有相同的功函数。 The bombarded n-GaAs(100) surface work function change, band bending and the Ga3d,As3d shifting is studied by XPS,UPS. The results show that the shifting of the Ga3d, As3d is up to 0. 3eV due to the different energy of Argon Ion.

关 键 词： 表面 砷化钴 氩离子 轰击

领　　域： [电子电信]