作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室

出　　处： 《中国有色金属学报》 2004年第6期973-978,共6页

摘　　要： 研究了通过在熔体凝固过程中的不同温度范围施加高频磁场制备自生梯度复合材料的工艺。对于Al/Mg2Si/Si自生梯度复合材料,近似计算及实验结果表明:Al+Mg2Si二元共晶区(555～595℃)是施加高频磁场的最佳温度范围,此时处于低粘性熔体中的增强颗粒容易被外加电磁阿基米德力分离。高频磁场施加温度过高或过低,均不易使增强颗粒产生梯度分布效果。 The method for preparing in-situ graded composites was investigated by imposing high frequency electromagnetic field in different temperature ranges during their solidifications. Through approximate calculations and experiments, it is showed that the best temperature range for exerting the high frequency electromagnetic field exists in the Al+Mg_2Si binary eutectic area(555595 ℃) in the case of Al/Mg_2Si/Si in-situ graded composite, where the reinforcing particles can be easily separated in the low viscous melt. Otherwise, reinforcements can hardly distribute as desired.

关 键 词： 自生梯度复合材料 高频磁场 过共晶 合金

领　　域： [一般工业技术]