作　　者： ; ; ; ; ; (张勇）;

机构地区： 厦门大学物理与机电工程学院物理学系

出　　处： 《Journal of Semiconductors》 2004年第8期889-893,共5页

摘　　要： 通过光致发光谱研究了在 1 9～ 4 8K范围内掺氮浓度为 0 .1 2 %时的 Ga PN的 NN3束缚激子与声子的耦合 .直接计算了 NN3束缚激子的 L O,TO和 TA声子伴线的黄昆因子 S,除了 L O声子外 ,得到了 TO和 TA声子伴线的S因子在该温度范围内对温度的依赖关系 .计算表明 ,NN3的 L O,TO和 TA声子的 S因子均与温度无关 ,说明NN3的 L O,TO和 TA声子伴线与它们的零声子线具有相同的温度依赖关系 。 Under heavy nitrogen doping,due to the “concentration quenching” effect,the full spectrum of the NN 3 center is revealed without the interference from the spectra of other higher energy centers.This investigation offers a direct proof for that all the phonon replicas are the phonon sidebands governed by the Huang Rhys’ multiphonon optical transition theory.

关 键 词： 光致发光 等电子陷阱

领　　域： [理学] [理学]