作　　者： ; ; (刘古）; (张训生）;

机构地区： 浙江大学

出　　处： 《真空科学与技术学报》 1991年第4期223-227,共5页

摘　　要： 本文根据电子在固体与真空界面的折射反射效应及立体角元的变化,讨论了表面势垒对俄歇电子极角分布的影响,修正了俄歇电子的极角分布公式,首次从理论上证明了均匀体样品俄歇电子的极角分布基本符合cosθ规律而和样品是单晶或多晶及和俄歇电子的能量大小无很大关系这一实验现象。 The effect of surface potential barrier on the emission of Auger electrons is discussed in this paper by taking into ac-count of the refraction and reflection of electrons at the interface and the difference between the solid angle inside andoutside the sample. The experimental law of cosθ for the polar distribution of any Auger peak of any uniform sample isproved for the first time in this paper.

关 键 词： 俄歇电子 极角 表面势垒 分布公式 角分布 量大小 单晶材料 电子散射 出射角 表面偏析

领　　域： [一般工业技术]