作　　者： ; ; ; ; ;

机构地区： 天津大学理学院

出　　处： 《Transactions of Tianjin University》 1999年第1期98-100,共3页

摘　　要： 用两种电阻率的Si片在不同阳极化反应条件下制得4片多孔硅样品．利用SPEXFL－111型荧光光谱仪测出样品在紫外光激发下的发射光谱，得到多孔硅的蓝紫光发射．根据实验结果，提出衬底的电阻率对光致发光（PL）光谱峰位有决定作用． Porous silicon samples are made on Si wafers with different resistivities under different anod ic-react ion conditions. Visible photoluminescent spectra of porous silicon (PS) at room temperature are measured using a fluorescent spectrograph where blue-violet light is observed. The decision of the resistivity of Si substrates is provided.

关 键 词： 多孔硅 阳极化反应 光致发光

领　　域： [理学] [理学]