作　　者： ; ; ;

机构地区： 华南师范大学物理与电信工程学院

出　　处： 《半导体技术》 2008年第S1期24-27,共4页

摘　　要： 采用二维系综蒙特卡罗方法对平面纳米结构的电响应特性进行了详细地研究。计算结果表明纳米结构加工过程所带来的表面电荷能够用来改变纳米沟道中的电场分布,从而使得纳米沟道中的电势分布呈现出空间不对称。由于Ratchet效应,此时通过纳米沟道的电子输运将体现出方向性,这使得该器件具有类似于二极管的电流电压特性曲线。通过优化结构,还可以获得开启电压为零的器件。由于该器件为纳米量级,因此具有很快的响应速度。模拟结果表明在亚太赫兹波段,该器件有不为零的整流信号输出。 Using a 2-D ensemble Monte Carlo method,the electrical properties of a planar nanometer device was studied.Calculation results show that surface charges originated from the device fabrication can be exploited to create an asymmetric electric potential along the nanochannel.This asymmetric potential will bring a Ratchet effect,resulting in diode-like current-voltage characteristics of the device.Through optimizing device parameters,zero threshold voltage can be achieved.Since the device is of nanoscale,simulation results reveal that it can work at frequency up to sub-THz as a rectifier.

关 键 词： 效应 蒙特卡罗模拟 纳米 电势 阈值电压

领　　域： [电子电信]