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文献详细Journal detailed

参杂GaAs量子点的电子结构
Electronic structures of doped GaAs quantum dots

作  者: ; ;

机构地区: 韶关学院

出  处: 《原子与分子物理学报》 2009年第3期447-451,共5页

摘  要: 用有效质量近似和少体物理方法计算了在抛物势中,参杂(一个带正电荷)GaAs量子点中有7个极化电子时的本征能量和本征波函数,并从本征波函数中提取的一体、二体密度函数方法得到了电子结构的直观图像,用对称性对量子点中库仑相互作用能和电子结构进行了分析. With the effective-mass approximation and the method of few-body physics, the eigenvalue of energy and the eigen-wave-function of doped( with apositive impurity ) GaAs quantum clots in the polarized seven electrons has been calculated in the parabolic potential energy, and clear the electronic structures has been gained by the methods of the one-body and two-body density function, the electronic structures and the Coulomb interaction energy in the quantum dots are analyzed with the symmetry constraints.

关 键 词: 量子点 电子结构 对称性

领  域: [理学] [理学]

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