可检索词： （英文）题名=T 作者=A 关键词=K 摘要=R 机构=O 主题=S 刊名=M 分类号=N
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机构地区： 华南理工大学
出 处： 《安全》 2007年第2期12-14,共3页
摘 要： 本文针对集成电路中广泛应用的MOS器件,详细分析了其静电损伤的模式和物理过程,并对其防护措施进行简单介绍。
关 键 词： 器件 损伤 物理过程 防护措施
领 域： [环境科学与工程]
