作　　者： ;

机构地区： 佛山科学技术学院理学院光电子与物理学系

出　　处： 《石河子大学学报（自然科学版）》 2007年第3期372-375,共4页

摘　　要： 对采用分子束外延生长的In1-xGaxN薄膜与金属有机化学气相沉积生长的GaAs和Ga0.51In0.49P薄膜太阳能电池材料进行了对比研究,探讨了全太阳光谱材料系In1-xGaxN合金薄膜受到高能粒子辐射后的电学特性变化规律。实验结果显示:GaAs和Ga0.51In0.49P的光致发光信号强度受到照射的强烈压制,而受到类似剂量照射后InN的光致发光信号强度没有下降;In1-xGaxN合金薄膜材料的电学特性表现出用高能质子(2MeV)照射比当前常用的GaAs和GaInP光伏材料有更高的电阻。这表明,In1-xGaxN对高能粒子损伤没有GaAs和GaInP那么敏感,从而给空间受到强辐射的高效太阳能电池提供了巨大的应用潜力。 The changes of electronic properties for In1-xGaxN alloys thin films of full solar spectrum material system are studied in this paper.Compared In1-xGaxN thin films grown by molecular beam epitaxy to GaAs and Ga0.51In0.49P thin films solar cell materials grown by metalorganic chemical vapor deposition,we have achieved that the PL signal intensities of GaAs and Ga0.51In0.49P are drastically suppressed by the irradiation,the PL signal of InN does not show any reduction in intensity after being subjected to a s...

关 键 词： 太阳能电池 辐照损伤 光致发光 能级

领　　域： [电气工程]